部品カタログ : NCP1380BDR2G

NCP1380BDR2G 是由安森美（onsemi）生產的一款高效能準諧振（Quasi-Resonant）電流模式 PWM 控制器。它專為高功率通用離線式（Off-Line）返馳式（Flyback）交換式電源供應器、筆電變壓器與充電器設計，採用標準 SOIC-8 表面黏著封裝。

主要技術規格

• 拓撲結構與控制模式。採用返馳式（Flyback）拓撲與準諧振（QR）峰值電流模式控制，具備谷底鎖定（Valley-Lockout，最高至第 4 谷底）以降低切換損耗與電磁干擾（EMI）。
• 封裝形式。8-SOIC（SOP-8）表面黏著封裝（SMD）。
• 供電電壓範圍 ((V_{CC}))。9 V 至 28 V，啟動電壓（Start-up）為 17 V。
• 驅動能力。具備 +500 mA 拉電流（Source）與 -800 mA 灌電流（Sink）峰值閘極驅動能力，可直接驅動外部高壓 MOSFET。
• 輕載效率優化。在輕載條件下會自動進入降頻模式（Frequency Foldback）與變頻壓控振盪（VCO）模式，達成極低的無載待機功耗。
• 保護功能（B 版本專屬特性）。內建 80 ms 短路保護計時器，故障觸發後採自動恢復（Auto-Recovery）模式，並整合過電壓保護（OVP）與過溫度保護（OTP）於同一 Fault 接腳，同時具備可調式過功率保護（OPP）。