元件型录 : NCP1380BDR2G

NCP1380BDR2G 是由安森美（onsemi）生产的一款高效能准谐振（Quasi-Resonant）电流模式 PWM 控制器。它专为高功率通用离线式（Off-Line）返驰式（Flyback）交换式电源供应器、笔电变压器与充电器设计，采用标准 SOIC-8 表面黏著封装。

主要技术规格

· 拓扑结构与控制模式。采用返驰式（Flyback）拓扑与准谐振（QR）峰值电流模式控制，具备谷底锁定（Valley-Lockout，最高至第 4 谷底）以降低切换损耗与电磁干扰（EMI）。
· 封装形式。8-SOIC（SOP-8）表面黏著封装（SMD）。
· 供电电压范围 ((V_{CC}))。9 V 至 28 V，启动电压（Start-up）为 17 V。
· 驱动能力。具备 +500 mA 拉电流（Source）与 -800 mA 灌电流（Sink）峰值闸极驱动能力，可直接驱动外部高压 MOSFET。
· 轻载效率优化。在轻载条件下会自动进入降频模式（Frequency Foldback）与变频压控振荡（VCO）模式，达成极低的无载待机功耗。
· 保护功能（B 版本专属特性）。内建 80 ms 短路保护计时器，故障触发後采自动恢复（Auto-Recovery）模式，并整合过电压保护（OVP）与过温度保护（OTP）於同一 Fault 接脚，同时具备可调式过功率保护（OPP）。